产品参数
产品名称
TP5000 (2A开关型 4.2V锂电池/3.6V铁锂电池充电器)
产品型号
TP5000
封装形式
采用QFN16 4mm*4mm 超小型封装
输入电压(V)
输入电源电压(VIN):10V
输出电压(V)
输出电流(MA)
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详细介绍

  TP5000是一款开关降压型单节锰锂电池/磷酸铁锂电池充电管理芯片。其QFN16超小型封 装与简单的外围电路,使得TP5000非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。同时, TP5000内置输入过流、欠压保护、芯片过温保护、短路保护、电池温度监控、电池反接保护。

  TP5000具有宽输入电压,对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段,涓流预充电 电流、恒流充电电流都通过外部电阻调整,最大充电电流达2A。TP5000采用频率800kHz的开 关工作模式使它可以使用较小的外围器件,并在大电流充电中仍保持较小的发热量。TP5000 内置功率PMOSFET、防倒灌电路,所以无需防倒灌肖特基二极管等外围保护。TP5000的恒流 功能,也可以用在2串锂电池或4串干电池输入,恒流驱动0.5-7W白光LED。

  TP5000工作原理

  TP5000 是专门为单节 4.2V 锂离子/3.6V 磷酸铁锂电池而设计的开关型大电流充电 器芯片,利用芯片内部的功率晶体管对电池 进行涓流、恒流和恒压充电。充电电流可以 用外部电阻编程设定,最大持续充电电流可 达 2A,不需要另加防倒灌二极管。TP5000 包含两个漏极开路输出的状态指示输出端, 充电状态指示端 CHRG 和电池充满状态指 示输出端STDBY 。芯片内部的功率管理电 路在芯片的结温超过 145℃时自动降低充电 电流,这个功能可以使用户最大限度的利用 芯片的功率处理能力,不用担心芯片过热而 损坏芯片或者外部元器件。

  当输入电压大于芯片启动阈值电压和 芯片使能输入端接高电平或者悬空时, TP5000 开始对电池充电, CHRG 管脚输出 低电平,表示充电正在进行。如果锂离子电 池电压低于 2.9V(磷酸铁锂电池电压低于2.5V),充电器用小电流对电池进行涓流预 充电(预充电电流通过外接电阻可调)。恒 流充电电流由 VS 管脚和 VBAT 管脚之间的电阻确定。当锂离子电池电压接近 4.2V(磷酸铁锂电池接近 3.6V)时,距离充电截止电 压约 50mV(根据不同的电路连接电阻与电 池内阻电压不同),充电电流逐渐减小,TP5000 进入恒压充电模式。当充电电流减小 到截止电流时,充电周期结束, CHRG 端 输出高阻态,STDBY 端输出低电位。

  当电池电压降到再充电阈值(锂离子电 池 4.05V,磷酸铁锂电池 3.45V)时,自动开始新的充电周期。芯片内部的高精度的电压基准源,误差放大器和电阻分压网络确保 电池端截止电压的精度在+-1%以内,满足了 锂离子电池和磷酸铁锂电池的充电要求。当 输入电压掉电或输入电压低于电池电压时, 充电器进入低功耗的停机模式,无需外接防 倒灌二极管,电池从芯片的漏电接近 4uA。

  充电截止电压选择

  TP5000 具有单节锂离子/磷酸铁锂电池 两种充电截.止电压的选择。当 CS 端连接高电位 VIN 时,为 4.2V 锂离子电池充电标准, 截止电压 4.2V。当 CS 端悬空,为磷酸铁锂 电池充电标准,截止电压 3.6V。当将 CS 端 接低电平 GND 时,充电器停止充电。TP5000 的 CS 端的复合设计,可以通过 外部控制决定 TP5000 处于充电模式与停机模式的切换。

  4.2V 锂离子电池充电状态与停机模式的 切换。如图 4 所示,通过一个开漏输出端口 与 CS 端连接,如果 NMOS 管栅极输入低电平, N1 截止,此时 CS 端接高电平,则充电截止 电压为 4.2V,TP5000 为锂离子电池充电。 当 NMOS 管栅极输入高电平,N1 导通,此时 CS 端被下拉到 GND,TP5000 为停机模式。

tp5000 应用示意图

       图 1受外部控制的 4.2V 锂离子电池充电状 态与停机状态的切换

  3.6V 磷酸铁锂电池充电状态与停机状态 的切换。如图 5 所示,如果 NMOS 管栅极输入低电平,N1 截止,此时 CS 端悬空,则充 电截止电压为 3.6V,TP5000 为磷酸铁锂电池充电。当 NMOS 管栅极输入高电平,N1 导通,CS 端被下拉到 GND,TP5000 为停机模式。

tp5000 图片

        图 2受外部控制的磷酸铁锂电池充电状态 与停机状态的切换

  TP5000 使用注意事项

  1. 电路中电容都应尽量靠近芯片。

  2. VS端与BAT端使用钽电容或电解电容加陶瓷电容。

  3. 电感请选用电流能力足够的功率电感。

  4. 肖特基二极管选用导通压降小电流能力大于等于2A的肖特基二极管。

  5. 对于VIN及LX通过电流回路的走线应比普通信号线更宽。

  6. 注意各电容接地线节点位置,应尽量使接地点集中,良好接地。

  7. 使用芯片在大电流工作中,应考虑芯片底部散热片与PCB的良好连接,保证散热良好。

  更多TP5000使用说明及相关应用请在此下载TP5000-PDF数据手册


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